&nbs慣性振動輸送機p;

電力電子器件的篩粉機回顧

電力電子器件又稱作開關器件，相當于信號電路中的A/D采樣，稱之為功率采樣，器件的旋轉(zhuǎn)篩工作過程就是能量過渡過程，其可靠性決定了系統(tǒng)的可靠性。根據(jù)可控程度可以把電力電子器件分成兩類：

半控型器件——第一代電力電子器ZSL系列大型冷礦振動篩件

上個世紀50年代，美國通用電氣公司發(fā)明的硅晶閘管的問世，標志著電力電子技術的開振動送料盤端。此后，晶閘管(SCR)的派生器件越來越多，到了70年代，已經(jīng)派生了快速晶閘管、逆導晶閘管、雙向晶閘管、不對稱晶閘管等半控型器件，功率越來越大，性能日益完善。但是由于晶閘管本身工作頻率較低（一般低于400Hz），大大限制了它的應用。此外，關斷這些器件，需要強迫換相電路，使得整體重量和體積增大、效率和可靠性降低。目前，國內(nèi)生產(chǎn)的電力電子器件仍以晶閘管為主。

全控型器件——第二代星型卸料器電力電子器件

隨著關鍵技術的突破以及需求的發(fā)展，早期的小功率、低頻、半控型器件發(fā)展到了現(xiàn)在的超大功率、高頻、全控型器件。由于全控型器件可以控制開通和關斷，大大提高了開關控制的靈活性。自70年代后期以來，可關斷晶閘管(G全封閉給煤機TO)、電力晶體管(GTR或BJT)及其模塊相繼實用化。此后各種高頻全控型器件不斷問世，并得到迅速發(fā)展。這些器件主要有電力場控晶體管(即功率MOSFEYK系列圓振動篩分機T)、絕緣柵極雙極晶體管(IGT或IGBT)、靜電感應晶體管(SIT)和靜電感振動分級篩應晶閘管(SITH)等。

電力電波紋擋邊輸送機子器件的最新發(fā)展

現(xiàn)代電力電子器件仍然在向大功率、易驅(qū)動和高頻旋回破碎機化方向發(fā)展。電力電子模塊化是其向高功率密度發(fā)展的重要一步。當前電力電子器件的主要發(fā)展成果如下：

IGBT皮帶機：絕緣柵雙極晶體管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Tr制砂機設備ansistor)是一種N溝道增強型場控(電壓)復合器件，如圖1所示。它屬于少子器件類，兼有功率MOSFE破碎機生產(chǎn)線T和雙極性器件的優(yōu)點：輸入阻抗環(huán)錘式破碎機高、開關速度快、安全工作區(qū)寬、飽和壓降低（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大。IGBT有望用于直流電壓為1500V的高壓變流系統(tǒng)中。

目前，已研制出的高功率溝槽柵結構IGBT(Trench IGBT)是高耐壓大電流IGBT器件通常采用的結構，它避免了模塊內(nèi)部大量的電極引線，減小了引線電感，提高了可靠性。其缺點是芯片面積利用率下降。這種平板壓接結構的高壓大電流IGBT模塊將在高壓、大功率變流器中獲得廣泛應用。

正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn)，其電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術發(fā)展的需求，特別是在高壓領域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上。目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術來實現(xiàn)高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。

MCT：MOS控制晶閘管

MCT(MOS-Controlled Thyristor)是一種新型MOS與雙極復合型器件，如圖2所示。它采用集成電路工藝，在普通晶閘管結構中制作大量MOS器件，通過MOS器件的通斷來控制晶閘管的導通與關斷。MCT既具有晶閘管良好的關斷和導通特性，又具備MOS場效應管輸入阻抗高、驅(qū)動功率低和開關速度快的優(yōu)點，克服了晶閘管速度慢、不能自關斷和高壓MOS場效應管導通壓降大的不足。所以MCT被認為是很有發(fā)展前途的新型功率器件。MCT器件的最大可關斷電流已達到300A，最高阻斷電壓為3KV，可關斷電流密度為325A/cm2，且已試制出由12個MCT并聯(lián)組成的模塊。

在應用方面，美國西屋公司采用MCT開發(fā)的10kW高頻串并聯(lián)諧振DC-DC變流器，功率密度已達到6.1W/cm3。美國正計劃采用MCT組成功率變流設備，建設高達500KV的高壓直流輸電HVDC設備。國內(nèi)的東南大學采用SDB鍵合特殊工藝在實驗室制成了100mA/100V MCT樣品；西安電力電子技術研究所利用國外進口厚外延硅片也試制出了9A/300V MCT 樣品。

IGCT：集成門極換流晶閘管

IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動器在外圍以低電感方式連接，結合了晶體管的穩(wěn)定關斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點，在導通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、損耗低等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。

采用晶閘管技術的GTO是常用的大功率開關器件，它相對于采用晶體管技術的IGBT在截止電壓上有更高的性能，但廣泛應用的標準GTO驅(qū)動技術造成不均勻的開通和關斷過程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率的門極驅(qū)動單元，因而造成可靠性下降，價格較高，也不利于串聯(lián)。但是，在大功率MCT技術尚未成熟以前，IGCT已經(jīng)成為高壓大功率低頻交流器的優(yōu)選方案。

在國外，瑞典的ABB公司已經(jīng)推出比較成熟的高壓大容量IGCT產(chǎn)品。在國內(nèi)，由于價格等因素，目前只有包括清華大學在內(nèi)的少數(shù)幾家科研機構在自己開發(fā)的電力電子裝置中應用了IGCT。

IEGT：電子注入增強柵晶體管

IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達4KV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強注入的結構實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。 IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動作、高耐壓、有源柵驅(qū)動智能化等特點，以及采用溝槽結構和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進一步擴大電流容量方面頗具潛力。另外，通過模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應用中被寄予厚望。

日本東芝開發(fā)的IECT利用了“電子注入增強效應”，使之兼有IGBT和GTO兩者的優(yōu)點：低飽和壓降，寬安全工作區(qū)(吸收回路容量僅為GTO的1/10左右)，低柵極驅(qū)動功率(比GTO低兩個數(shù)量級)和較高的工作頻率，如圖3所示。器件采用平板壓接式電極引出結構，可靠性高，性能已經(jīng)達到4.5KV/1500A的水平。

IPEM：集成電力電子模塊

IPEM(Intergrated Power Elactronics Modules)是將電力電子裝置的諸多器件集成在一起的模塊。它首先將半導體器件MOSFET、IGBT或MCT與二極管的芯片封裝在一起組成一個積木單元，然后將這些積木單元迭裝到開孔的高電導率的絕緣陶瓷襯底上，在它的下面依次是銅基板、氧化鈹瓷片和散熱片。在積木單元的上部，則通過表面貼裝將控制電路、門極驅(qū)動、電流和溫度傳感器以及保護電路集成在一個薄絕緣層上，如圖4所示。IPEM實現(xiàn)了電力電子技術的智能化和模塊化，大大降低了電路接線電感、系統(tǒng)噪聲和寄生振蕩，提高了系統(tǒng)效率及可靠性。 PEBB：電力電子積木

PEBB(Power Electric Building Block)是在IPEM的基礎上發(fā)展起來的可處理電能集成的器件或模塊。PEBB并不是一種特定的半導體器件，它是依照最優(yōu)的電路結構和系統(tǒng)結構設計的不同器件和技術的集成。典型的PEBB如圖5所示。雖然它看起來很像功率半導體模塊，但PEBB除了包括功率半導體器件外，還包括門極驅(qū)動電路、電平轉(zhuǎn)換、傳感器、保護電路、電源和無源器件。

PEBB有能量接口和通訊接口。通過這兩種接口，幾個PEBB可以組成電力電子系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可以像小型的DC-DC轉(zhuǎn)換器一樣簡單，也可以像大型的分布式電力系統(tǒng)那樣復雜。一個系統(tǒng)中PEBB的數(shù)量可以從一個到任何多個。多個PEBB模塊一起工作可以完成電壓轉(zhuǎn)換、能量的儲存和轉(zhuǎn)換、陰抗匹配等系統(tǒng)級功能。PEBB最重要的特點就是其通用性。

基于新型材料的電力電子器件

SiC（碳化硅）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料，可制作出性能更加優(yōu)異的高溫(300℃～500℃)、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件。SiC高功率、高壓器件對于公電輸運和電動汽車等設備的節(jié)能具有重要意義。Silicon（硅）基器件在今后的發(fā)展空間已經(jīng)相對窄小，目前研究的方向是SiC等下一代半導體材料。采用SiC的新器件將在今后5～10年內(nèi)出現(xiàn)，并將對半導體材料產(chǎn)生革命性的影響。用這種材料制成的功率器件，性能指標比砷化鎵器件還要高一個數(shù)量級。碳化硅與其他半導體材料相比，具有下列優(yōu)異的物理特點: 高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿強度、低介電常數(shù)和高熱導率。上述這些優(yōu)異的物理特性,決定了碳化硅在高溫、高頻率、高功率的應用場合是極為理想的材料。在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的 SiC場效應管的導通壓降，也比單極型、雙極型硅器件低得多。而且，SiC器件的開關時間可達10ns級。

SiC可以用來制造射頻和微波功率器件、高頻整流器、MESFET、MOSFET和JFET等。SiC高頻功率器件已在MOTOROLA公司研發(fā)成功，并應用于微波和射頻裝置；美國通用電氣公司正在開發(fā)SiC功率器件和高溫器件；西屋公司已經(jīng)制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻MESFET；ABB公司正在研制用于工業(yè)和電力系統(tǒng)的高壓、大功率SiC整流器和其他SiC低頻功率器件。理論分析表明，SiC功率器件非常接近于理想的功率器件。SiC器件的研發(fā)將成為未來的一個主要趨勢。但在SiC材料和功率器件的機理、理論和制造工藝等方面，還有大量問題有待解決，SiC要真正引領電力電子技術領域的又一次革命，估計至少還要十幾年的時間。

小 結

電力電子器件正進入以新型器件為主的新時代，作為電力電子技術發(fā)展的決定性因素，電力電子器件的研發(fā)及關鍵技術突破，必然會促進電力電子技術的迅速發(fā)展，進而促進以電力電子技術為基礎的傳統(tǒng)工業(yè)和高新技術產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展。